Ранее производство логических микросхем в компании осуществлялось по 14-нанометровой технологии. Благодаря передовому 10-нанометровому процессу производительность можно повысить на целых 27 %, снизив при этом энергопотребление почти на 40 %. Такое усовершенствование позволяет существенно экономить площадь платы, помещая на ней до 30 % больше микросхем. В Samsung Electronics решили применить при изготовлении технологию 3D-структуры контура узоров цепи на плате до резьбы. Способ «тройного построения» позволяет сделать схему максимально точной. А это основное требование к таким маленьким микросхемам.
FinFET-чип, изготовленный с использованием 10-нанометрового технологического процесса, будет взят за основу для процессора Exynos 8895. Также, ранее представители южнокорейской компании уже делали заявления о применении технологии для чипсетов Qualcomm Snapdragon 830. Более того, Samsung намерены стать единственными их производителями. Микрочипами оснастят большинство устройств нового поколения Samsung Galaxy S. В том числе и Galaxy S8, выход которого ожидается уже в начале 2017 года.
Электронная промышленность сегодня производит полупроводники, применяя разные технологии. Все эксперименты и новшества нацелены в первую очередь на повышение плотности размещения элементов на микросхеме. Этот фактор напрямую зависит от размеров ячеек. Лидером на рынке полупроводников в данный момент является компания Intel. Она производит самые компактные транзисторы, длиной 14 нанометров. Использование 10-нанометровой технологии в Intel прогнозируют на конец 2017 года.
Стоит отметить, что использование нового технологического процесса FinFET — это не все инновации, презентованные этой осенью Samsung Electronics. В сентябре были представлены также самые быстрые SSD-накопители в форм-факторе М.2 для ПК и ультрабуков. Наиболее скоростная модель имеет скорость чтения 3,5 Гб/сек, а скорость записи — 2,1 Гбайт в секунду. Руководство компании считает, что это наглядная демонстрация лидерства в сфере передовых технологий.
