Несмотря на то, что гаджеты с каждым днём становятся всё более маленькими и умными, объём хранимых данных неуклонно растет. Именно поэтому производители пытаются найти способы хранения всей информации, не увеличивая объём физического пространства, которое уже отводится под сервера и стойки.
Один из наиболее известных производителей техники и электроники предлагает достаточно инновационное решение для хранения данных. Компания Samsung анонсировала флэш-память V-NAND. Инженеры смогли разработать первый модуль на 1 Тбит (именно терабит, не терабайт).
Следует отметить, что наиболее распространённым на сегодняшний день типом твердотельной памяти является NAND. Именно такой накопитель используется в современных смартфонах, ноутбуках и настольных компьютерах. Отличительная особенность анонсированного южнокорейский брендом чипа состоит в том, что он представляет собой структуру со стеками, размещенными вертикально. Благодаря этому инженерам удалось существенно повысить плотность хранения данных.
Применение Samsung V-NAND позволит вывести на рынок новые твердотельные накопители, отличающиеся высокой ёмкостью. К примеру, одновременное использование 16 подобных микросхем позволяет создать накопитель на 2 ТБ. Такие SSD смогут без проблем составить серьёзную конкуренцию для традиционных жёстких дисков, отличаясь при этом впечатляющей производительностью.
По предварительным данным, чипы памяти начнут использоваться в накопителях памяти уже в 2018 году. Универсальность позволяет использовать их в целом спектре продуктов, включая смартфоны, ноутбуки и даже цифровые камеры.
